买卖IC网 >> 产品目录 >> IPS03N03LBG MOSFET N-KANAL POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

IPS03N03LBG

库存数量:可订货
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商 Infineon Technologies
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 90 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 5.1 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-251
封装 Tube
相关资料
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集好芯城 0755-83867989 陈先生13360533550
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深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
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深圳市创乐电子科技有限公司 13554877245 李创华
昆山开发区美科微电子商行 18951125455 易春花
深圳市华盛锦科技有限公司 0755-82798020 张先生/雷小姐
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  • IPS03N03LBG 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价