IPS03N03LBG datasheet
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>> IPS03N03LBG MOSFET N-KANAL POWER MOS datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
IPS03N03LBG
库存数量:
可订货
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
制造商
Infineon Technologies
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
30 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
90 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
5.1 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 175 C
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251
封装
Tube
相关资料
属性
链接
代理商
IPS03N03LBG
IPS040N03L
IPS040N03L G
IPS040N03LG
IPS041L
IPS041LPBF
供应商
公司名
电话
集好芯城
0755-83867989
陈先生13360533550
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
深圳市一线半导体有限公司
0755-83789203
谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
深圳市创乐电子科技有限公司
13554877245
李创华
昆山开发区美科微电子商行
18951125455
易春花
深圳市华盛锦科技有限公司
0755-82798020
张先生/雷小姐
深圳市时兴宇电子有限公司
0755-83041559
彭先生
IPS03N03LBG 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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